江西兆驰半导体申请发光二极管芯片专利，避免炸伤 GaN 外延层

金融界 2025 年 5 月 7 日消息，国家知识产权局信息显示，江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“一种发光二极管芯片及其制备方法”的专利，公开号 CN119947355A，申请日期为 2025 年 4 月。

专利摘要显示，本发明提供一种发光二极管芯片及其制备方法，该芯片包括衬底、及沉积于衬底上的外延层，衬底靠近外延层的一面制备有氮气释放图形，氮气释放图形包括位于衬底中心处的第一子图形、及沿第一子图形周向设置的子图形群，子图形群由多个第二子图形环形间隔组成，子图形群有多组，多组子图形群周向间隔设置，多个子图形群中的第二子图形的投影面积由内至外依次线性减小，多个子图形群中的第二子图形中心之间的投影距离由内至外依次线性增加。本发明在衬底靠近外延层的一面制备氮气释放图形，在剥离过程中，外围已经剥离的蓝宝石衬底在内应力的作用下向上翘起为氮气的释放打开通道，避免了激光剥离工艺过程中氮气释放不及时而炸伤 GaN 外延层的问题。

天眼查资料显示，江西兆驰半导体有限公司，成立于2017年，位于南昌市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本160000万人民币。通过天眼查大数据分析，江西兆驰半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目16次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息1475条，此外企业还拥有行政许可61个。

本文源自：金融界

作者：情报员